onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 1.8 A 42 W, 8-Pin MLP

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

1.965,00 €

(ohne MwSt.)

2.337,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 9.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,655 €1.965,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-1700
Herst. Teile-Nr.:
FDMC2523P
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

MLP

Serie

QFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3mm

Breite

3 mm

Höhe

0.95mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links