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    onsemi QFET FQP27P06 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 27 A 120 W, 3-Pin TO-220AB

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    Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

    1,612 €

    (ohne MwSt.)

    1,918 €

    (inkl. MwSt.)

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    Pro Stück
    Pro Stange*
    50 - 501,612 €80,60 €
    100 - 2001,516 €75,80 €
    250 +1,451 €72,55 €

    *Bitte VPE beachten

    RS Best.-Nr.:
    178-4752
    Herst. Teile-Nr.:
    FQP27P06
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypP
    Dauer-Drainstrom max.27 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    GehäusegrößeTO-220AB
    SerieQFET
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.70 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.120 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.–25 V, +25 V
    Länge10.1mm
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Transistor-WerkstoffSi
    Breite4.7mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs33 nC @ 10 V
    Höhe9.4mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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