onsemi Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 36 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
124-5401
Herst. Teile-Nr.:
NTD5867NLT4G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

50mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Höhe

2.38mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CZ

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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