onsemi RFD16N06LESM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 16 A 90 W, 3-Pin TO-252

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802-2146
Herst. Teile-Nr.:
RFD16N06LESM9A
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

RFD16N06LESM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

47mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

90W

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.39mm

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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