Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 74 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

Dieser Hochstrom-MOSFET eignet sich für verschiedene Anwendungen in der Automatisierung und Elektronik. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 70 A arbeitet er bei Drain-Source-Spannungen von bis zu 55 V. Seine Konfiguration im Enhancement-Modus erfüllt die Leistungsanforderungen, während sein niedriger RDS(on) die Energieeffizienz maximiert. Dieser für Hochleistungsanwendungen konzipierte MOSFET bietet thermische Stabilität und eignet sich daher für harte Betriebsbedingungen.

• Verbessert die Systemeffizienz durch niedrige Durchgangswiderstandswerte
• Funktioniert effektiv innerhalb eines Temperaturbereichs von -55°C bis +150°C
• Unterstützt schnelle Schaltgeschwindigkeiten zur Leistungssteigerung
• Robustes Design für wiederkehrende Lawinenbedingungen
• In einem D2PAK TO-263-Gehäuse für die einfache Oberflächenmontage

• Einsatz in Energiemanagementsystemen und Umrichtern
• Geeignet für die Motorsteuerung die einen hohen Wirkungsgrad erfordern
• Integriert in Schaltnetzteile für verbesserte Leistung
• Anwendbar in Automobilumgebungen, die eine zuverlässige Steuerung erfordern
• Eingesetzt in der industriellen Automatisierung, die eine hohe Belastbarkeit erfordert

Das Gerät hat eine maximale Betriebstemperatur von +150°C und ist damit auch unter wechselnden Umweltbedingungen stabil.

Der niedrige RDS(on) minimiert die Leitungsverluste, verbessert die Gesamteffizienz der Schaltung und ermöglicht einen kühleren Betrieb.

Ja, er ist in der Lage, gepulste Ableitströme von bis zu 280 A zu bewältigen, was ihn für dynamische Anwendungen geeignet macht.

Die Gate-Source-Spannung sollte im Bereich von -20 V bis +20 V liegen, um einen effektiven Betrieb ohne Schadensrisiko zu gewährleisten.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.