Infineon HEXFET IRF4905SPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 74 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 124-8993
Herst. Teile-Nr.:: IRF4905SPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRF4905SPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 74 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

0,562 €

(ohne MwSt.)

0,669 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 +	0,562 €	28,10 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 124-8993
Herst. Teile-Nr.:: IRF4905SPBF
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	74 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	20 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	3,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	8.81mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.54mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	180 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	4.69mm

Infineon HEXFET IRF4905SPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 74 A 3,8 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Verwandte Produkte