Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 36 A 92 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

27,70 €

(ohne MwSt.)

32,95 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 1.000 Einheit(en) mit Versand ab 05. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 500,554 €27,70 €
100 - 2000,446 €22,30 €
250 - 4500,435 €21,75 €
500 - 12000,423 €21,15 €
1250 +0,413 €20,65 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-9001
Herst. Teile-Nr.:
IRF540ZPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

36A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

92W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

8.77mm

Länge

10.54mm

Breite

4.69 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 36A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 100V maximale Drain-Source-Spannung - IRF540ZPBF


Dieser MOSFET ist für eine hohe Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen ausgelegt. Das TO-220AB-Gehäuse kann einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 36 A und eine Drain-Source-Spannung von 100 V verarbeiten und gewährleistet eine effektive Wärmeableitung und Stabilität. Mit einer maximalen Verlustleistung von 92 W ist dieser N-Kanal-Baustein besonders für anspruchsvolle Aufgaben in der Elektro- und Maschinenbauindustrie geeignet.

Eigenschaften und Vorteile


• Verwendet HEXFET-Technologie für verbesserte Effizienz

• Niedriger Rds(on) von 26,5mΩ minimiert den Leistungsverlust

• Schnelle Schaltgeschwindigkeiten verbessern die betriebliche Effizienz

• Unterstützt den Erweiterungsmodus für zuverlässige Leistung

• Entwickelt, um wiederkehrende Lawinenbedingungen zu bewältigen

Anwendungen


• Für die Motorsteuerung und das Leistungsmanagement

• Ideal für Schaltnetzteile und Wandler

• Geeignet für Kraftfahrzeuge, die einen hohen Wirkungsgrad erfordern

• Implementiert in industriellen Automatisierungssystemen

• Wirksam in elektronischen Geräten, die robuste Leistung erfordern

Welche Bedeutung hat der niedrige Rds(on)-Wert für seine Leistung?


Der niedrige Rds(on)-Wert reduziert die Leitungsverluste, was zu einer höheren Effizienz im Betrieb führt. Sie ermöglicht eine verbesserte thermische Leistung, die bei Hochstromanwendungen entscheidend ist.

Wie wirkt sich die maximale Drain-Source-Spannung auf die Betriebssicherheit aus?


Die Drain-Source-Spannung von 100 V bietet einen beträchtlichen Sicherheitsspielraum für Anwendungen, der einen zuverlässigen Betrieb unter wechselnden Spannungsbedingungen gewährleistet und somit einen Ausfall verhindert.

Kann dieser MOSFET mit hohen Temperaturen umgehen?


Mit einer maximalen Betriebstemperatur von 175 °C ist er für den zuverlässigen Betrieb unter Hochtemperaturbedingungen ausgelegt und eignet sich daher für anspruchsvolle Umgebungen in der Automobilindustrie und für industrielle Anwendungen.

Verwandte Links