Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 25 A 14 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
124-9009
Herst. Teile-Nr.:
IRFB5620PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

73mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

14W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

9.02mm

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MX

MOSFET für Digital-Audio, Infineon


Verstärker der Klasse D werden schnell zur bevorzugten Lösung für kommerzielle und private Audio- und Videosysteme. Infineon bietet ein umfassendes Sortiment von Produkten an, die das Design von Verstärkern der Klasse D mit hoher Effizienz vereinfachen.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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