Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 25 A 14 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 124-9009
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB5620PBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
64,70 €
(ohne MwSt.)
77,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 1.300 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,294 € | 64,70 € |
| 100 - 200 | 1,259 € | 62,95 € |
| 250 - 450 | 1,226 € | 61,30 € |
| 500 - 950 | 1,194 € | 59,70 € |
| 1000 + | 1,164 € | 58,20 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-9009
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB5620PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 73mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 14W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 73mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 14W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.02mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 200 V maximale Drain-Source-Spannung, 25 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB5620PBF
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Halbleiterschalter mit N-Kanal, der für Durchsteck-Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Modus-Gerät, das für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in anspruchsvollen Umgebungen geeignet ist, und ist in einem TO-220-Gehäuse für eine einfache Montage und Kühlung untergebracht.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 200 V unterstützt Hochspannungsschaltungen
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen eine robuste Lastaufnahme
• 73 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Stromkreisen
• 25 nC Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltgeschwindigkeiten
• Die Verlustleistung von 14 W ermöglicht eine mäßige thermische Belastung
• Gate-Toleranz bis 20 V schützt vor Überlastschaltvorfällen
• 25 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglichen eine robuste Lastaufnahme
• 73 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Stromkreisen
• 25 nC Gate-Ladung ermöglicht kontrollierte Schaltgeschwindigkeiten
• Die Verlustleistung von 14 W ermöglicht eine mäßige thermische Belastung
• Gate-Toleranz bis 20 V schützt vor Überlastschaltvorfällen
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochspannungs-Motortreiberstufen
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Geräten
• Wird zum Schalten von Wechselrichtern in der Stromumwandlung verwendet
• Kann für Audio-Verstärker-Ausgangsstufen verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Stromschaltvorgänge auf Durchsteckplatinen
• Ideal für Schaltnetzteile in industriellen Geräten
• Wird zum Schalten von Wechselrichtern in der Stromumwandlung verwendet
• Kann für Audio-Verstärker-Ausgangsstufen verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Stromschaltvorgänge auf Durchsteckplatinen
Welche extremen Temperaturen kann er während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz in erweiterten Temperaturbereichen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und das Wärmemanagement aus?
Das TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung vereinfacht die Befestigung an Kühlkörpern und Leiterplatten für eine effektive Wärmeableitung.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Ansteuerung beachtet werden?
Die maximale Nennspannung von Gate zu Source beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber innerhalb dieses Schwellenwerts bleiben sollten.
Wie wirkt sich der Kanaltyp auf das Schaltungsdesign aus?
Als N-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät erfordert es zur Leitung eine positive Gate-Source-Spannung, die bei entsprechender Ansteuerung für Low-Side- und High-Side-Schaltertopologien geeignet ist.
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 35 A TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 46 A TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 95 A TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Kanal 3-Pin TO-220