Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 25 A 14 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
688-6973
Herst. Teile-Nr.:
IRFB5620PBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

73mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

14W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Höhe

9.02mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

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