Nexperia Doppelt NX3008CBKS Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Trench-MOSFET 30 V Erweiterung / 350 mA 990 mW, 6-Pin SC-88

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NX3008CBKS,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

Trench-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SC-88

Serie

NX3008CBKS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.52nC

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

990mW

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.35 mm

Höhe

1mm

Länge

2.2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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