STMicroelectronics STripFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 350 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
145-8882
Herst. Teile-Nr.:
STR2P3LLH6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

2 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

STripFET

Gehäusegröße

SOT-23

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

90 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

350 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

3.04mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6 nC @ 4,5 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.75mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

1.3mm

Diodendurchschlagsspannung

1.1V

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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