STMicroelectronics STripFET STR2P3LLH6 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 350 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 876-5702
Herst. Teile-Nr.:: STR2P3LLH6
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET STR2P3LLH6 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 2 A 350 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 876-5702
Herst. Teile-Nr.:: STR2P3LLH6
Marke:: STMicroelectronics

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	2 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Serie	STripFET
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	90 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	350 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	3.04mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	6 nC @ 4,5 V
Breite	1.75mm
Höhe	1.3mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V