STMicroelectronics STripFET V N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 2,3 A 350 mW, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

8,05 €

(ohne MwSt.)

9,58 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 350 Einheit(en) mit Versand ab 08. Dezember 2025
  • Zusätzlich 3.010 Einheit(en) mit Versand ab 15. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +0,805 €8,05 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
791-7876
Herst. Teile-Nr.:
STR2N2VH5
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,3 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

STripFET V

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

40 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.7V

Verlustleistung max.

350 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

1.75mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

3.04mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6 nC @ 4,5 V

Höhe

1.3mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal STripFET™ V, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Verwandte Links