STMicroelectronics STripFET V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.3 A 350 mW, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
STR2N2VH5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

STripFET V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

40mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

350mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.75 mm

Länge

3.04mm

Höhe

1.3mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal STripFET™ V, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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