Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 190 A 220 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 145-9431
Herst. Teile-Nr.:: IRF1404ZPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 190 A 220 W, 3-Pin TO-220

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

43,10 €

(ohne MwSt.)

51,30 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	0,862 €	43,10 €
100 - 200	0,819 €	40,95 €
250 - 450	0,784 €	39,20 €
500 - 1200	0,732 €	36,60 €
1250 +	0,689 €	34,45 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 145-9431
Herst. Teile-Nr.:: IRF1404ZPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	190A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	220W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	100nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	8.77mm
	Länge	10.54mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	4.69 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 220W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 8.77mm
	Länge 10.54mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 4.69 mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 180A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40V maximale Drain-Source-Spannung - IRF1404ZPBF

Dieser MOSFET ist ein Hochleistungs-Leistungsbauteil, das für eine Vielzahl von Anwendungen im Automobil- und Industriesektor entwickelt wurde. Mit einem robusten Drain-Dauerstrom von 180 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 40 V eignet er sich hervorragend für anspruchsvolle Umgebungen. Der TO-220AB-Gehäusetyp erleichtert die Montage und gewährleistet eine effiziente Integration in elektronische Schaltungen und Systeme.

Eigenschaften und Vorteile

• Verwendet HEXFET-Technologie für verbesserte Effizienz

• Entwickelt für den Anreicherungsmodus zur Optimierung der Schaltvorgänge

• Bietet eine hohe Schaltgeschwindigkeit zur Steigerung der Gesamteffizienz

• Fähigkeit zu wiederholter Lawinenbildung zur Erhöhung der Zuverlässigkeit

Anwendungen

• Ideal für die Verwendung in Motorsteuerungsschaltungen

• Verwendet in Stromversorgungen und Umrichtern

• Entwickelt für den Einsatz in der Automobilindustrie

• Geeignet für verschiedene industrielle Automatisierungssysteme

• Effizientes Energiemanagement und Schalten

Welchen Nutzen hat der geringe On-Widerstand für meine Anwendungen?

Der niedrige Durchlasswiderstand von 2,7 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert so den Gesamtwirkungsgrad in Leistungsumwandlungs- und Energiemanagementsystemen.

Was passiert, wenn das Gerät seine maximale Betriebstemperatur überschreitet?

Eine Überschreitung der maximalen Betriebstemperatur von +175°C kann zu Leistungseinbußen und möglichen Ausfällen führen, was die Notwendigkeit eines angemessenen Wärmemanagements unterstreicht.

Kann dies in parallelen Konfigurationen verwendet werden?

Ja, bei parallelen Konfigurationen ist es wichtig, den Strom zwischen den Geräten gleichmäßig zu verteilen, um Überhitzung zu vermeiden und die Leistung zu maximieren.