Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 5.1 A 3 W, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 146-4440
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3457CDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Eingestellt
- RS Best.-Nr.:
- 146-4440
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3457CDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 30 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 5.1 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 3 W | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Höhe | 1 mm | |
| Länge | 3.1 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 20 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 30 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 5.1 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 3 W | ||
Pinanzahl 6 | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Höhe 1 mm | ||
Länge 3.1 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 20 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 1.7 mm | ||
Halogen-free
TrenchFET® Power MOSFET
APPLICATIONS
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