Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 5 A 2.3 W, 6-Pin SON

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
162-8525
Herst. Teile-Nr.:
CSD16301Q2
Marke:
Texas Instruments
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SON

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

34mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.3W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2mm

Höhe

0.8mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


Verwandte Links