Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 3.2 W, 8-Pin SON

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RS Best.-Nr.:
162-8556
Herst. Teile-Nr.:
CSD18533Q5A
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

NexFET

Gehäusegröße

SON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Maximale Verlustleistung Pd

3.2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.8mm

Breite

5 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments


MOSFET-Transistoren, Texas Instruments


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