onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 1,4 W, 8-Pin ECH

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RS Best.-Nr.:
163-2131
Herst. Teile-Nr.:
ECH8663R-TL-H
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

ECH

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

28 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.3V

Verlustleistung max.

1,4 W

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12,3 nC @ 4,5 V

Länge

2.9mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

2.3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.9mm

Ursprungsland:
CN

Dual-N-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor



MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

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