onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A; 2 A 800 mW, 6-Pin MCPH
- RS Best.-Nr.:
- 791-9493
- Herst. Teile-Nr.:
- MCH6660-TL-H
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 791-9493
- Herst. Teile-Nr.:
- MCH6660-TL-H
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,5 A; 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | MCPH | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 136 mΩ, 266 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.3V | |
| Verlustleistung max. | 800 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,7 nC @ 4,5 V, 1,8 nC @ 4,5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.6mm | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,5 A; 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße MCPH | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 136 mΩ, 266 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.3V | ||
Verlustleistung max. 800 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,7 nC @ 4,5 V, 1,8 nC @ 4,5 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.6mm | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor
Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt.
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Verwandte Links
- onsemi CPH6539-TL-H SMD5 A 500 MHz, CPH 6-Pin
- onsemi MCH4020-TL-H SMD MCPH 4-Pin
- onsemi NXH N/P-Kanal-Kanal Dual 11-Pin PIM11
- onsemi P-Kanal5 A 1 8-Pin ECH
- onsemi P-Kanal5 A 1 W, 6-Pin SCH
- onsemi N/P-Kanal Dual2 W, 8-Pin EMH
- onsemi PowerTrench N-Kanal Dual2 A 300 mW 6-Pin SOT-363
- onsemi N-Kanal Dual4 W, 8-Pin ECH
