onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3 A; 4 A 1,2 W, 8-Pin EMH

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RS Best.-Nr.:
163-2139
Herst. Teile-Nr.:
EMH2604-TL-H
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

3 A; 4 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

EMH

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

115 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1.3V

Verlustleistung max.

1,2 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-10 V, +10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

4,7 nC @ 4,5 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

1.7mm

Länge

2mm

Höhe

0.75mm

Ursprungsland:
CN

Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor


Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt.


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

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