Teile-Nr.

onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3 A; 4 A 1,2 W, 8-Pin EMH

RS Best.-Nr.:: 163-2139
Herst. Teile-Nr.:: EMH2604-TL-H
Marke:: onsemi

onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3 A; 4 A 1,2 W, 8-Pin EMH

Nicht verfügbar

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RS Best.-Nr.:: 163-2139
Herst. Teile-Nr.:: EMH2604-TL-H
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Channel-Typ	N, P
	Dauer-Drainstrom max.	3 A; 4 A
	Drain-Source-Spannung max.	20 V
	Gehäusegröße	EMH
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	115 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	1.3V
	Verlustleistung max.	1,2 W
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Gate-Source Spannung max.	-10 V, +10 V
	Länge	2mm
	Transistor-Werkstoff	Si
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Breite	1.7mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	4,7 nC @ 4,5 V
	Höhe	0.75mm

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Channel-Typ N, P
	Dauer-Drainstrom max. 3 A; 4 A
	Drain-Source-Spannung max. 20 V
	Gehäusegröße EMH
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 115 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 1.3V
	Verlustleistung max. 1,2 W
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V
	Länge 2mm
	Transistor-Werkstoff Si
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Breite 1.7mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 4,7 nC @ 4,5 V
	Höhe 0.75mm

Ursprungsland:: CN

onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 3 A; 4 A 1,2 W, 8-Pin EMH

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