onsemi Isoliert Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 7 A 1.3 W, 8-Pin ECH ECH8661-TL-H

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802-0850
Herst. Teile-Nr.:
ECH8661-TL-H
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

ECH

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

39mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.3W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.8nC

Durchlassspannung Vf

0.79V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.3 mm

Höhe

0.9mm

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor


Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt.

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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