onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A; 7 A 1,3 W, 8-Pin ECH

RS Best.-Nr.:: 163-2130
Herst. Teile-Nr.:: ECH8661-TL-H
Marke:: onsemi

onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A; 7 A 1,3 W, 8-Pin ECH

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RS Best.-Nr.:: 163-2130
Herst. Teile-Nr.:: ECH8661-TL-H
Marke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	5,5 A; 7 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	ECH
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	24 mΩ, 39 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.6V
Verlustleistung max.	1,3 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	2.3mm
Länge	2.9mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gate-Ladung typ. @ Vgs	11,8 nC @ 10 V
Höhe	0.9mm

onsemi N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A; 7 A 1,3 W, 8-Pin ECH

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Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor

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