Vishay SiR462DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 19 A 4.8 W, 8-Pin SO-8

Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
RS Best.-Nr.:
165-2723
Herst. Teile-Nr.:
SIR462DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SiR462DP

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

800mV

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

4.8W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4.9mm

Höhe

1.04mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.89mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.