Vishay SiR462DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 19 A 4.8 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
710-3402
Herst. Teile-Nr.:
SIR462DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR462DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

4.8W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4.9mm

Höhe

1.04mm

Breite

5.89 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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