Vishay SI9634DY Zweifach N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 8 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 268-8282
- Herst. Teile-Nr.:
- SI9634DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SI9634DY | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 60 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SI9634DY | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 60 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 4 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der TrenchFET-Leistungs-MOSFET der 4. Generation mit zwei N-Kanälen von Vishay ist vollständig bleifreies und halogenfreies Gerät. Es ist optimiert und das Verhältnis verringert den schaltungsbedingten Leistungsverlust und wird in Anwendungen wie Synchrongleichrichtung, Motorantriebskontrast eingesetzt.
ROHS-konform
UIS-geprüft zu 100 Prozent
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