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    Infineon HEXFET IRF7495TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 7,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

    Voraussichtlich ab 08.07.2025 verfügbar.
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    RS Best.-Nr.:
    165-5712
    Herst. Teile-Nr.:
    IRF7495TRPBF
    Marke:
    Infineon

    Ursprungsland:
    TH
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.7,3 A
    Drain-Source-Spannung max.100 V
    GehäusegrößeSOIC
    SerieHEXFET
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.22 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.2,5 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite4mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs34 nC @ 10 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge5mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Höhe1.5mm

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