Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 43 A 47 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
165-5783
Herst. Teile-Nr.:
IRFI4410ZPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

43A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

81nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

47W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

16.13mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.83 mm

Länge

10.75mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

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