Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 23 A 110 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
165-5813
Herst. Teile-Nr.:
IRF9540NSTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

117mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

73nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V bis 150 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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