Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 190 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Verstärkungsaufgaben in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle Umgebungen und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine geringe Verlustleistung und eine geringe Strombelastbarkeit akzeptabel sind. Das Gerät wird in einem dreipoligen SOT-23-Gehäuse geliefert, das für die automatisierte Leiterplattenmontage optimiert ist.

• Die Nennleistung von 100 V Drain-to-Source ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 10 Ω maximaler Rds sorgt für geringe Leitungsverluste bei kleinen Lasten
• 500 mW maximale Verlustleistung bewältigt thermische Belastung in kompakten Schaltkreisen
• 190 mA kontinuierlicher Ableitstrom unterstützt Niederstromsteuerungsanwendungen
• Die typische Gate-Ladung von 0,6 nC ermöglicht ein schnelleres Schalten mit minimaler Antriebsenergie
• Die Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht einen breiten Gate-Treiber-Bereich

• Geeignet für die Schaltung und Steuerung von Sensorsignalen in Kraftfahrzeugen
• Ideal für das allgemeine Energiemanagement mit niedrigem Stromverbrauch
• Einsatz mit Batteriemanagement-Überwachungsschaltkreisen in Fahrzeugen
• Kann für Kleinsignal-Hochspannungspegelverschiebungen verwendet werden
• Wird für Gate-Stufen-Treiber in Niederspannungswandlern verwendet

Er ist für die Oberflächenmontage in einer SOT-23-Grundfläche mit drei Anschlüssen vorgesehen, die mit Standard-Pick-and-Place-Prozessen kompatibel ist.

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und behält seine Funktionalität in den für die Automobilindustrie geeigneten Temperaturbereichen bei.

Das Gerät nimmt bis zu ±20 V am Gate auf und hat eine niedrige typische Gate-Ladung von 0,6 nC, wodurch der Energiebedarf des Treibers reduziert wird und kleinere Antriebsschaltkreise möglich sind.

Das Gehäuse misst 2,9 x 1,3 x 1 mm und ermöglicht dichte Leiterplatten-Layouts, während es gleichzeitig die erforderliche Kriechspannung für seine Spannungsklasse bietet.