Vishay Einfach Si7129DN Typ P, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 35 A 52.1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 165-6294
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7129DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 165-6294
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- SI7129DN-T1-GE3
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- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | Si7129DN | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ P | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 30 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 35 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 52.1 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.2 V | |
| Höhe | 1.07 mm | |
| Länge | 3.15 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 20 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -20 V, +20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -50 °C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 24.6 nC | |
| Breite | 3.15 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie Si7129DN | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ P | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 30 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 35 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 52.1 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.2 V | ||
Höhe 1.07 mm | ||
Länge 3.15 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 20 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -20 V, +20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -50 °C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 24.6 nC | ||
Breite 3.15 mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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