Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,5 A 52,1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
818-1384
Herst. Teile-Nr.:
SI7129DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

11,5 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

20 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1.5V

Verlustleistung max.

52,1 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

3.15mm

Breite

3.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

47,5 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-50 °C

Höhe

1.07mm

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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