Vishay Einfach Si7129DN Typ P, Typ P-Kanal 1, Oberfläche, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 35 A 52.1 W, 8-Pin PowerPAK

Alle MOSFET anzeigen
Bestandsabfrage leider nicht möglich
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
818-1384
Herst. Teile-Nr.:
SI7129DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

35A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Serie

Si7129DN

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24.6nC

Betriebstemperatur min.

-50°C

Maximale Verlustleistung Pd

52.1W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Höhe

1.07mm

Länge

3.15mm

Breite

3.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Vishay Semiconductor


Verwandte Links