Vishay Si5419DU Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9.9 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

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RS Best.-Nr.:
165-6326
Herst. Teile-Nr.:
SI5419DU-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK ChipFET

Serie

Si5419DU

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Durchlassspannung Vf

-0.85V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

31W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.85mm

Breite

1.98 mm

Länge

3.08mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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