Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 69 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
165-6658
Herst. Teile-Nr.:
BSZ067N06LS3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TSDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.83V

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, 60 bis 80 V


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