Infineon OptiMOS™ 5 BSZ014NE2LS5IFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 176 A, 8-Pin TDSON-8 FL

RS Best.-Nr.:: 214-8984
Herst. Teile-Nr.:: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 BSZ014NE2LS5IFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 176 A, 8-Pin TDSON-8 FL

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Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

1,566 €

(ohne MwSt.)

1,864 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 - 40	1,566 €	15,66 €
50 - 90	1,488 €	14,88 €
100 - 240	1,426 €	14,26 €
250 - 490	1,363 €	13,63 €
500 +	1,269 €	12,69 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 214-8984
Herst. Teile-Nr.:: BSZ014NE2LS5IFATMA1
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Datasheet - BSZ014NE2LS5IFATMA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Die Infineon Serie bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, einschließlich der CoolMOS-, OptiMOS- und Stark-IRFET-Familien. Mit der Produktfamilie OptiMOS-5 von 25 V und 30 V bietet Infineon Referenzlösungen, indem es sowohl im Standby- als auch im Vollbetrieb höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz ermöglicht. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Monolithische integrierte Schottky-Diode
100%ig auf Stoßentladung geprüft

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	176 A
Drain-Source-Spannung max.	25 V
Serie	OptiMOS™ 5
Gehäusegröße	TDSON-8 FL
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,00145 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon OptiMOS™ 5 BSZ014NE2LS5IFATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 176 A, 8-Pin TDSON-8 FL

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