Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 176 A 69 W, 8-Pin BSZ014NE2LS5IFATMA1 TSDSON

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214-8984
Herst. Teile-Nr.:
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

176A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Durchlassspannung Vf

0.6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.1 mm

Höhe

1.2mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Serie bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, einschließlich der CoolMOS-, OptiMOS- und Stark-IRFET-Familien. Mit der Produktfamilie OptiMOS-5 von 25 V und 30 V bietet Infineon Referenzlösungen, indem es sowohl im Standby- als auch im Vollbetrieb höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz ermöglicht. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Monolithische integrierte Schottky-Diode

100%ig auf Stoßentladung geprüft

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