Infineon BSZ097N10NS5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
170-2300
Herst. Teile-Nr.:
BSZ097N10NS5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

BSZ097N10NS5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS™ 5 100V, die neueste Generation von Leistungs-MOSFETs von Infineon, wurde eigens für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Zusätzlich können diese Bauelemente in anderen industriellen Anwendungen wie Solar, Niederspannungsantriebe und Adapter verwendet werden. Die neuen MOSFETs der Serie OptiMOS™ 5 100V MOSFETs sind in sieben verschiedenen Gehäusen erhältlich und bieten den branchenweit niedrigsten R DS(on)

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %

Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 %

Vorteile:

Höchste Systemeffizienz

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

Weniger Parallelschaltung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Niedrige Spannungsübersteuerung

Anwendungsbereiche:

Telekom

Server

Solar

Niederspannungsantriebe

Leichte Elektrofahrzeuge

Adapter

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