Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

RS Best.-Nr.:: 170-2342
Herst. Teile-Nr.:: BSZ097N10NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:: 170-2342
Herst. Teile-Nr.:: BSZ097N10NS5ATMA1
Marke:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	40 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	OptiMOS™ 5
Gehäusegröße	TSDSON
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	13 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3.8V
Gate-Schwellenspannung min.	2.2V
Verlustleistung max.	69 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	22 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	3.4mm
Länge	3.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	1.1mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON

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