Teile-Nr.

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323

RS Best.-Nr.:: 165-6902
Herst. Teile-Nr.:: SI1330EDL-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

498,00 €

(ohne MwSt.)

594,00 €

(inkl. MwSt.)

Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 +	0,166 €	498,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 165-6902
Herst. Teile-Nr.:: SI1330EDL-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	240 mA
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Gehäusegröße	SOT-323
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	8 Ω
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung min.	1V
	Verlustleistung max.	280 mW
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Breite	1.35mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Transistor-Werkstoff	Si
	Länge	2.2mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	0,4 nC @ 4,5 V
	Höhe	1mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 240 mA
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Gehäusegröße SOT-323
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 8 Ω
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung min. 1V
	Verlustleistung max. 280 mW
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Breite 1.35mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Transistor-Werkstoff Si
	Länge 2.2mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,4 nC @ 4,5 V
	Höhe 1mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Ursprungsland:: CN

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 240 mA 280 mW, 3-Pin SOT-323

Verwandte Links