Vishay SI2343CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,7 A 2,5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-6908
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2343CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
48000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
0,299 €
(ohne MwSt.)
0,356 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 3000 + | 0,299 € | 897,00 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 165-6908
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2343CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,7 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 75 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 2,5 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 1.4mm |
| Länge | 3.04mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13,6 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.02mm |
- RS Best.-Nr.:
- 165-6908
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2343CDS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Verwandte Produkte
- Vishay SI2337DS-T1-GE3 P-Kanal75 A 2 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2319CDS-T1-GE3 P-Kanal4 A 2 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2365EDS-T1-GE3 P-Kanal7 A 1 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET SI2369DS-T1-GE3 P-Kanal6 A, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET SI2307CDS-T1-GE3 P-Kanal5 A, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET SI2399DS-T1-GE3 P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Vishay SI2393DS-T1-GE3 P-Kanal1 A SOT-23
- Vishay SI2329DS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 6 A SOT-23-3 (TO-236)