Vishay SI2366DS-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2,1 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-6910
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2366DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 42 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 2,1 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.4mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6,4 nC @ 10 V |
| Länge | 3.04mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 1.02mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 165-6910
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2366DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay