Vishay SI7164DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 165-7097
Herst. Teile-Nr.:: SI7164DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI7164DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 60 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:: 165-7097
Herst. Teile-Nr.:: SI7164DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	60 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	6,25 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2.5V
Verlustleistung max.	104 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.26mm
Länge	6.25mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	49,5 nC @ 10 V
Höhe	1.12mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C