Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.7 A 3.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7415DN-T1-GE3

RS Best.-Nr.:: 180-7759
Herst. Teile-Nr.:: SI7415DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.7 A 3.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7415DN-T1-GE3

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RS Best.-Nr.:: 180-7759
Herst. Teile-Nr.:: SI7415DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	5.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.065Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	3.8W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	25nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.61mm
	Höhe	1.12mm
	Breite	3.61 mm
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße PowerPAK 1212-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.065Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 3.8W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.61mm
	Höhe 1.12mm
	Breite 3.61 mm
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der SMD-P-Kanal PowerPAK-1212-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 65 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 3,8 W und einen Dauerstrom von 5,7 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Schnelles Schalten

• Halogenfrei

• bleifreie Komponente (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• Halbbrücken-Motorantriebe

• Nicht-synchrone Hochspannungs-Abwärtswandler

• Lastschalter

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007