- RS Best.-Nr.:
- 165-7263
- Herst. Teile-Nr.:
- SIB406EDK-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 23.09.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
---|---|---|
3000 + | 0,186 € | 558,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 165-7263
- Herst. Teile-Nr.:
- SIB406EDK-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 5,1 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SC-75 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 63 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V |
Verlustleistung max. | 10 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Länge | 1.7mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 1.7mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,5 nC bei 10 V |
Höhe | 0.8mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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