- RS Best.-Nr.:
- 168-2113
- Herst. Teile-Nr.:
- RTF025N03TL
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- RTF025N03TL
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- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
Leistungs-MOSFETs werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.
2,5-V-AntriebstypP-Kanal-Mittel-Leistungs-MOSFETSchnelle SchaltgeschwindigkeitKleines SMD-GehäuseBleifreiAnwendungen:Tragbares DatenterminalMünzverarbeitungsmaschinenDigitales Multimeter: handlicher TypMotorsteuerung: bürstenlose GleichstrommotorenSpeicherprogrammierbare SteuerungAC-ServoNetwork Attached StorageDVR/DVSMotorsteuerung: SchrittmotorMotorsteuerung: Gleichstrommotoren mit BürstenPOS (Point-of-Sales-System)ElektrofahrräderEingebetteter PCIntelligenter ZählerÜberwachungskameraRöntgeninspektionsmaschine für SicherheitÜberwachungskamera für NetzwerkSprechanlage/BabymonitorMaschinelle Kamera für industrielle AnwendungenGerät zur Authentifizierung per FingerabdruckMassefehler-SchutzschalterDigitales Multimeter: TischtypAnzeige für EMSSolar-Wechselrichter
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | TSMT-3 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 98 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V |
Verlustleistung max. | 800 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | 12 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 1.8mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,7 nC @ 4,5 V |
Länge | 2.1mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Diodendurchschlagsspannung | 1.2V |
Höhe | 0.85mm |
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