- RS Best.-Nr.:
- 826-7807
- Herst. Teile-Nr.:
- RUF015N02TL
- Marke:
- ROHM
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- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- TH
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 1,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | TUMT3 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 310 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
Verlustleistung max. | 800 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,8 nC @ 4,5 V |
Breite | 1.7mm |
Länge | 2mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 0.77mm |
- RS Best.-Nr.:
- 826-7807
- Herst. Teile-Nr.:
- RUF015N02TL
- Marke:
- ROHM
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