IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH18N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-4698
Herst. Teile-Nr.:: IXFH18N100Q3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH18N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 168-4698
Herst. Teile-Nr.:: IXFH18N100Q3
Marke:: IXYS

IXFT18N100Q3, IXFH18N100Q3, HiperFET Power MOSFET Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	18 A
Drain-Source-Spannung max.	1000 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	660 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	6.5V
Verlustleistung max.	830 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	90 nC @ 10 V
Breite	5.3mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	16.26mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	16.26mm

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFH18N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 18 A 830 W, 3-Pin TO-247

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

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