IXYS HiperFET, Polar3 IXFX80N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247

RS Best.-Nr.:: 168-4748
Herst. Teile-Nr.:: IXFX80N60P3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 IXFX80N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 80 A 1,3 kW, 3-Pin PLUS247

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RS Best.-Nr.:: 168-4748
Herst. Teile-Nr.:: IXFX80N60P3
Marke:: IXYS

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Ursprungsland:: US

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	80 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	PLUS247
Serie	HiperFET, Polar3
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	70 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	1,3 kW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.21mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	16.13mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	190 nC @ 10 V
Höhe	21.34mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C