Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 135 V / 129 A 441 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
168-5948
Herst. Teile-Nr.:
IRF135S203
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

129A

Drain-Source-Spannung Vds max.

135V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

441W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Höhe

9.65mm

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

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