STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB9NK60ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 168-6686
- Herst. Teile-Nr.:
- STB9NK60ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 1000)
0,354 €
(ohne MwSt.)
0,421 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 1000 + | 0,354 € | 354,00 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 168-6686
- Herst. Teile-Nr.:
- STB9NK60ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 7 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Serie | MDmesh, SuperMESH |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 950 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 125 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 10.4mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 9.35mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 4.6mm |
Verwandte Produkte
- STMicroelectronics MDmesh SMD MOSFET 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- STMicroelectronics MDmesh SMD MOSFET 500 V / 14 A 150 W, 3-Pin...
- STMicroelectronics MDmesh STB24NM60N N-Kanal 3-Pin D2PAK (TO-263)
- STMicroelectronics MDmesh SMD MOSFET 500 V / 7 3-Pin D2PAK (TO-263)
- STMicroelectronics MDmesh THT MOSFET 600 V / 7 A 125 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh SMD MOSFET 900 V / 5 3-Pin D2PAK (TO-263)
- STMicroelectronics MDmesh SMD MOSFET 600 V / 10 A 115 W, 3-Pin...
- STMicroelectronics MDmesh SMD MOSFET 800 V / 5 3-Pin D2PAK (TO-263)