STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 168-6686
- Herst. Teile-Nr.:
- STB9NK60ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 168-6686
- Herst. Teile-Nr.:
- STB9NK60ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 950 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.35mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 950 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.35mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 38 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 4.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh SMD MOSFET 600 V / 10 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- STMicroelectronics MDmesh SMD MOSFET 500 V / 7 3-Pin D2PAK (TO-263)
- STMicroelectronics MDmesh THT MOSFET 600 V / 6 A 30 W, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh THT MOSFET 600 V / 6 A 110 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh THT MOSFET 600 V / 2 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics MDmesh SMD MOSFET 600 V / 4 A 70 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- STMicroelectronics MDmesh SMD MOSFET 600 V / 2 3-Pin DPAK (TO-252)
- STMicroelectronics MDmesh THT MOSFET Transistor 600 V / 1 3-Pin TO-251