STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB10NK60ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 165-7787
Herst. Teile-Nr.:: STB10NK60ZT4
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB10NK60ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 165-7787
Herst. Teile-Nr.:: STB10NK60ZT4
Marke:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 10A 600V SuperMESH D2PAK
STB10NK60Z, STP10NK60Z, STP10NK60ZFP, STW10NK60Z, N-Channel 600V, 0.65 Ohm, 10A SuperMESH Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	750 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	115 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	9.35mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	50 nC @ 10 V
Länge	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	4.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB10NK60ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics

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