STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
165-7787
Herst. Teile-Nr.:
STB10NK60ZT4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Serie

MDmesh, SuperMESH

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

750 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

115 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.35mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

50 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

4.6mm

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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