STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 7,2 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 168-6688
- Herst. Teile-Nr.:
- STB9NK50ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 1000 + | 0,483 € | 483,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-6688
- Herst. Teile-Nr.:
- STB9NK50ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 850 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 9.35mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.4mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 32 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 850 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 9.35mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.4mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 32 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 4.6mm | ||
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