STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB9NK50ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 7,2 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 168-6688
Herst. Teile-Nr.:: STB9NK50ZT4
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB9NK50ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 7,2 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:: 168-6688
Herst. Teile-Nr.:: STB9NK50ZT4
Marke:: STMicroelectronics

MOSFET N-ch 7.2A 500V SuperMESH D2PAK
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7,2 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	850 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	32 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	10.4mm
Breite	9.35mm
Höhe	4.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB9NK50ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 500 V / 7,2 A 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics

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