Vishay SQ Rugged SQD25N06-22L_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A 62 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 170-8300
Herst. Teile-Nr.:: SQD25N06-22L_GE3
Marke:: Vishay

Vishay SQ Rugged SQD25N06-22L_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 25 A 62 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 2000)

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RS Best.-Nr.:: 170-8300
Herst. Teile-Nr.:: SQD25N06-22L_GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal MOSFET, Serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor

Die MOSFETs der Serie SQ von Vishay Semiconductor wurden für alle Kfz Anwendungen entwickelt, die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

Vorteile von MOSFETs der Serie SQ Rugged

• AEC-Q101-qualifiziert
• Anschlusstemperatur: bis zu +175 °C
• N- und P-Kanal-TrenchFET®-Technologien mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Innovative platzsparende Gehäuseoptionen

Zulassungen

AEC-Q101

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	25 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Serie	SQ Rugged
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	49 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.5V
Verlustleistung max.	62 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	33 nC @ 10 V
Länge	6.73mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	6.22mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Höhe	2.38mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Automobilstandard	AEC-Q101